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NTBL050N65S3H

NTBL050N65S3H onsemi


ntbl050n65s3h-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
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Technische Details NTBL050N65S3H onsemi

Description: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 305W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0425ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H Hersteller : onsemi NTBL050N65S3H_D-2037189.pdf MOSFETs SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
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NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H Hersteller : ONSEMI 3191505.pdf Description: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H Hersteller : ONSEMI 3191505.pdf Description: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 305W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H Hersteller : ON Semiconductor ntbl050n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 49A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NTBL050N65S3H Hersteller : ONSEMI ntbl050n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H Hersteller : onsemi ntbl050n65s3h-d.pdf Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
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NTBL050N65S3H Hersteller : ONSEMI ntbl050n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
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