NTBL060N065SC1 ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 5.28 EUR |
| 35+ | 4.97 EUR |
| 36+ | 4.82 EUR |
| 100+ | 4.59 EUR |
| 250+ | 4.51 EUR |
| 500+ | 4.44 EUR |
| 1000+ | 4.21 EUR |
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Technische Details NTBL060N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 170W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote NTBL060N065SC1 nach Preis ab 8.62 EUR bis 18.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTBL060N065SC1 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOFtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBL060N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBL060N065SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBL060N065SC1 | onsemi |
Description: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V |
auf Bestellung 1973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBL060N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R |
auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTBL060N065SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 46A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.29 EUR |
| 16+ | 14.66 EUR |
| 19+ | 11.4 EUR |
| 50+ | 10.47 EUR |
| 100+ | 8.78 EUR |
| 250+ | 8.62 EUR |
| NTBL060N065SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.29 EUR |
| 16+ | 14.66 EUR |
| 19+ | 11.4 EUR |
| 50+ | 10.47 EUR |
| 100+ | 8.78 EUR |
| 250+ | 8.62 EUR |
| NTBL060N065SC1 |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.35 EUR |
| 10+ | 11.71 EUR |
| 100+ | 9.45 EUR |
| 500+ | 9.01 EUR |
| NTBL060N065SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Description: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.71 EUR |
| 10+ | 12.84 EUR |
| 100+ | 9.7 EUR |
| NTBL060N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)