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NTBL075N065SC1

NTBL075N065SC1 onsemi

NTBL075N065SC1-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
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Technische Details NTBL075N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Weitere Produktangebote NTBL075N065SC1 nach Preis ab 7.5 EUR bis 15.98 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 onsemi NTBL075N065SC1-D.PDF Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
auf Bestellung 29877 Stücke:
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2+15.92 EUR
10+10.84 EUR
100+7.97 EUR
500+7.89 EUR
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NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 onsemi NTBL075N065SC1-D.PDF SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.98 EUR
10+10.86 EUR
100+8.02 EUR
500+7.91 EUR
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NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 ONSEMI 4332476.pdf Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 ONSEMI NTBL075N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBL075N065SC1
Hersteller: onsemi
Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
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tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
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