NTBLS0D8N08XTXG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
auf Bestellung 392 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.47 EUR |
| 10+ | 7.45 EUR |
| 100+ | 5.63 EUR |
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Technische Details NTBLS0D8N08XTXG onsemi
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 457A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTBLS0D8N08XTXG nach Preis ab 5.51 EUR bis 10.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NTBLS0D8N08XTXG | Hersteller : onsemi |
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL |
auf Bestellung 6628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBLS0D8N08XTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBLS0D8N08XTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBLS0D8N08XTXG | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET - Power, SingleN-Channel, TOLL80 V, 0.79 mOhm, 457 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTBLS0D8N08XTXG | Hersteller : ONSEMI |
NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTBLS0D8N08XTXG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V |
Produkt ist nicht verfügbar |