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NTBLS1D5N10MCTXG

NTBLS1D5N10MCTXG onsemi

NTBLS1D5N10MC-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details NTBLS1D5N10MCTXG onsemi

Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 312A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 322W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Weitere Produktangebote NTBLS1D5N10MCTXG nach Preis ab 6.56 EUR bis 14.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG onsemi NTBLS1D5N10MC-D.PDF Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
auf Bestellung 7433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.94 EUR
10+9.52 EUR
100+7.02 EUR
500+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG onsemi NTBLS1D5N10MC-D.PDF MOSFETs PTNG 100V STD TOLL
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100+7.06 EUR
500+7.04 EUR
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NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG ONSEMI 4018413.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MCTXG ONSEMI 4018413.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 312A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
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Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 3916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
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Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
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Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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