NTBS9D0N10MC ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
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Technische Details NTBS9D0N10MC ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm.
Weitere Produktangebote NTBS9D0N10MC nach Preis ab 2.76 EUR bis 7.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTBS9D0N10MC | onsemi | MOSFETs PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L |
auf Bestellung 4271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBS9D0N10MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm |
auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBS9D0N10MC |
Hersteller: onsemi
MOSFETs PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L
MOSFETs PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L
auf Bestellung 4271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.12 EUR |
| 10+ | 4.36 EUR |
| NTBS9D0N10MC |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.84 EUR |
| 49+ | 4.78 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |