NTBS9D0N10MC ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.4 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |
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Technische Details NTBS9D0N10MC ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTBS9D0N10MC nach Preis ab 2.39 EUR bis 8.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTBS9D0N10MC | onsemi |
MOSFETs MOSFET - Single N-Channel 100 V, 9.0 mohm, 60 A |
auf Bestellung 6419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBS9D0N10MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBS9D0N10MC |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs MOSFET - Single N-Channel 100 V, 9.0 mohm, 60 A
MOSFETs MOSFET - Single N-Channel 100 V, 9.0 mohm, 60 A
auf Bestellung 6419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.77 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 2.93 EUR |
| 800+ | 2.39 EUR |
| NTBS9D0N10MC |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 29+ | 8.65 EUR |
| 45+ | 5.25 EUR |
| 100+ | 3.4 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |