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NTD20P06LT4G

NTD20P06LT4G ON Semiconductor

ntd20p06ld.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD20P06LT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ON Semiconductor ntd20p06ld.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G onsemi ntd20p06l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ON Semiconductor ntd20p06ld.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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250+1.26 EUR
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100+2.49 EUR
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ON Semiconductor ntd20p06ld.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G onsemi ntd20p06l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G onsemi ntd20p06l-d.pdf MOSFETs -60V -15.5A P-Channel
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10+2.31 EUR
100+1.51 EUR
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1000+1.06 EUR
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ONSEMI 2311724.pdf Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 4539 Stücke:
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66+3.8 EUR
111+2.09 EUR
145+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ONSEMI ntd20p06l-d.pdf Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 4539 Stücke:
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100+3.8 EUR
111+2.09 EUR
145+1.48 EUR
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NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ONSEMI NTD20P06-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2852 Stücke:
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NTD20P06LT4G ntd20p06ld.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.71 EUR
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NTD20P06LT4G ntd20p06l-d.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD20P06LT4G ntd20p06ld.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.89 EUR
250+1.26 EUR
1000+1 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTD20P06LT4G ntd20p06ld.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.59 EUR
100+2.49 EUR
250+2.37 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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NTD20P06LT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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NTD20P06LT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
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NTD20P06LT4G ntd20p06ld.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.75 EUR
100+2.68 EUR
250+2.61 EUR
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NTD20P06LT4G ntd20p06l-d.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NTD20P06LT4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -60V -15.5A P-Channel
auf Bestellung 101090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+2.31 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.92 EUR
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NTD20P06LT4G 2311724.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 4539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
111+2.09 EUR
145+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD20P06LT4G ntd20p06l-d.pdf
NTD20P06LT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 4539 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3.8 EUR
111+2.09 EUR
145+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTD20P06LT4G NTD20P06-DTE.PDF
NTD20P06LT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2852 Stücke:
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