NTD20P06LT4G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.72 EUR |
| 5000+ | 0.71 EUR |
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Technische Details NTD20P06LT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTD20P06LT4G nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTD20P06LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs -60V -15.5A P-Channel |
auf Bestellung 118862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD20P06LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |