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NTD24N06LT4G

NTD24N06LT4G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD24N06LT4G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G ON Semiconductor ntd24n06ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G ONSEMI NTD24N06L_STD24N06L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G UMW d0f905be52d5fe9929b6a23d49acf0e1.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G onsemi ntd24n06l-d.pdf d0f905be52d5fe9929b6a23d49acf0e1.pdf MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
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NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G onsemi ntd24n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
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NTD24N06LT4G ON-Semiconductor ntd24n06l-d.pdf d0f905be52d5fe9929b6a23d49acf0e1.pdf N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
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NTD24N06LT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTD24N06LT4G
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
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