
NTD25P03LT4G ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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Technische Details NTD25P03LT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTD25P03LT4G nach Preis ab 0.38 EUR bis 3.31 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1053 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -25A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC |
auf Bestellung 1053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 15759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2646 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD25P03LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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