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NTD25P03LT4G

NTD25P03LT4G onsemi

ntd25p03l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
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Technische Details NTD25P03LT4G onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 75W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G Hersteller : ONSEMI NTD25P03L.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+1.86 EUR
57+ 1.27 EUR
76+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G Hersteller : ONSEMI NTD25P03L.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G Hersteller : onsemi ntd25p03l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G Hersteller : onsemi NTD25P03L_D-2318755.pdf MOSFET -30V -25A P-Channel
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1000+ 1.45 EUR
2500+ 1.36 EUR
5000+ 1.29 EUR
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NTD25P03LT4G Hersteller : ON-Semicoductor ntd25p03l-d.pdf P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 20
NTD25P03LT4G Hersteller : ON-Semicoductor ntd25p03l-d.pdf P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3086 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 20
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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