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NTD25P03LT4G

NTD25P03LT4G ON Semiconductor

ntd25p03l-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD25P03LT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Weitere Produktangebote NTD25P03LT4G nach Preis ab 0.48 EUR bis 3.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G onsemi ntd25p03l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1711 Stücke:
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188+0.96 EUR
189+0.94 EUR
219+0.8 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1657 Stücke:
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163+1.11 EUR
188+0.93 EUR
189+0.89 EUR
219+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G onsemi ntd25p03l-d.pdf MOSFETs -30V -25A P-Channel
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2+2.76 EUR
10+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G onsemi ntd25p03l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 3619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ONSEMI 1910544.pdf Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 7016 Stücke:
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64+3.93 EUR
135+1.73 EUR
152+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.08 EUR
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NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ONSEMI 1910544.pdf Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 7016 Stücke:
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135+1.73 EUR
152+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.08 EUR
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NTD25P03LT4G ON-Semiconductor ntd25p03l-d.pdf NTD25P03LG smd P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ TNTD25P03
auf Bestellung 146 Stücke:
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NTD25P03LT4G ON-Semiconductor ntd25p03l-d.pdf NTD25P03LG smd P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ TNTD25P03
auf Bestellung 2500 Stücke:
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19+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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NTD25P03LT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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NTD25P03LT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1711 Stücke:
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189+0.94 EUR
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500+0.69 EUR
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Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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188+0.93 EUR
189+0.89 EUR
219+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.61 EUR
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NTD25P03LT4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V -25A P-Channel
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2+2.76 EUR
10+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.73 EUR
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NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
NTD25P03LT4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
auf Bestellung 3619 Stücke:
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8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTD25P03LT4G 1910544.pdf
NTD25P03LT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.93 EUR
135+1.73 EUR
152+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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NTD25P03LT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.93 EUR
135+1.73 EUR
152+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: ON-Semiconductor
NTD25P03LG smd P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ TNTD25P03
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
NTD25P03LG smd P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ TNTD25P03
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH