NTD2955-1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 842+ | 0.59 EUR |
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Technische Details NTD2955-1G onsemi
Description: ONSEMI - NTD2955-1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTD2955-1G nach Preis ab 1.24 EUR bis 1.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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NTD2955-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET -60V -12A P-Channel |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTD2955-1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD2955-1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD2955-1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 12A 60V 55W NTD2955T4G, NTD2955G NTD2955-1G TNTD2955-1g Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTD2955-1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 12A 60V 55W NTD2955T4G, NTD2955G NTD2955-1G TNTD2955-1g Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD2955-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD2955-1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
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