NTD2955T4G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NTD2955T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm.
Weitere Produktangebote NTD2955T4G nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.60 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NTD2955T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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NTD2955T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
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NTD2955T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs -60V -12A P-Channel |
auf Bestellung 38326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm |
auf Bestellung 7522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD2955T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD2955T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -18A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTD2955T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -18A Mounting: SMD |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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