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NTD2955T4G

NTD2955T4G ON Semiconductor

ntd2955d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD2955T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : UMW 546ddeaeab93c794f84a448873c3157d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : onsemi ntd2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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5000+0.68 EUR
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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : ONSEMI ntd2955-d.pdf 546ddeaeab93c794f84a448873c3157d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
74+0.97 EUR
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
250+0.65 EUR
500+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 51
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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : ONSEMI ntd2955-d.pdf 546ddeaeab93c794f84a448873c3157d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : UMW 546ddeaeab93c794f84a448873c3157d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 524 Stücke:
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Anzahl Preis
11+1.74 EUR
17+1.1 EUR
100+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : onsemi A0317F5AE3E6FC3DA92D4223852526F9EB03DB7D11E952F483C8CFD50A2E5841.pdf MOSFETs -60V -12A P-Channel
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1000+0.81 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : onsemi ntd2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 14075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.64 EUR
11+1.68 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD2955T4G NTD2955T4G Hersteller : ONSEMI 2354114.pdf Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7278 Stücke:
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auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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