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NTD3055L104T4G

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Transistoren > MOSFET N-CH

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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
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1000+0.87 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ONSEMI NTD3055L104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
68+1.25 EUR
76+1.13 EUR
100+0.88 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G UMW 22ef4c98a9e8b91779f7ad2ce5558b38.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
auf Bestellung 956 Stücke:
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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75+2.37 EUR
100+1.7 EUR
148+1.11 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G onsemi ntd3055l104-d.pdf 22ef4c98a9e8b91779f7ad2ce5558b38.pdf MOSFETs 60V 12A N-Channel
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10+2.12 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ONSEMI ntd3055l104-d.pdf 22ef4c98a9e8b91779f7ad2ce5558b38.pdf Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 9671 Stücke:
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66+3.82 EUR
108+2.17 EUR
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500+1.04 EUR
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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NTD3055L104T4G ntd3055l104-d.pdf
NTD3055L104T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+1.8 EUR
500+0.93 EUR
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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42+2.06 EUR
68+1.25 EUR
76+1.13 EUR
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NTD3055L104T4G
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 712 Stücke:
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NTD3055L104T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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NTD3055L104T4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 12A N-Channel
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 9671 Stücke:
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Kurzhubtaste TACTM-613N-F
Produktcode: 72986
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Kurzhubtaste TACTM-613N-F
Hersteller: Ninigi
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Kurzhubtasten
Bedrahtet/SMD: SMD
Abmessungen, mm: 6x6 mm
Tastenhöhe, mm: 13 мм
Beschreibung: Kurzhubtaste; 1-position; SPST-NO; 0.05A/12VDC; SMT; 1.6N für SMD-Montage.
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
verfügbar: 200 St.
  • 200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1173 St.
  • 1173 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.082 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SWT-2/5 (CTT-1102A-160G) (Kurzhubtaste)
Produktcode: 35179
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SWT-2/5 (CTT-1102A-160G) (Kurzhubtaste)SWT-2/5 (CTT-1102A-160G) (Kurzhubtaste)
SWT-2/5 (CTT-1102A-160G) (Kurzhubtaste)SWT-2/5 (CTT-1102A-160G) (Kurzhubtaste)
Hersteller: Well Buying
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Kurzhubtasten
Bedrahtet/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6x6 mm
Tastenhöhe, mm: 5 mm
Beschreibung: Kurzhubtaste, Kraft 160g, 0.05A; 12VDC, Gesamthöhe der Taste: 5 mm
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
8536 50 11 90
auf Bestellung: 3324 St.
  • 3324 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.071 EUR
100+0.052 EUR
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