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NTD3055L104T4G

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Produktcode: 208676
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
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2500+0.77 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
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100+1.8 EUR
500+0.93 EUR
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2500+0.82 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ON Semiconductor ntd3055l104d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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100+1.7 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G onsemi ntd3055l104-d.pdf MOSFETs 60V 12A N-Channel
auf Bestellung 58391 Stücke:
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2+2.84 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G ONSEMI 2354279.pdf Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 7226 Stücke:
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055L104T4G ntd3055l104-d.pdf
NTD3055L104T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD3055L104T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+0.93 EUR
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NTD3055L104T4G ntd3055l104d.pdf
NTD3055L104T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+2.37 EUR
100+1.7 EUR
148+1.11 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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NTD3055L104T4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 12A N-Channel
auf Bestellung 58391 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.84 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
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NTD3055L104T4G ntd3055l104-d.pdf
NTD3055L104T4G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD3055L104T4G 2354279.pdf
NTD3055L104T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
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Taster TACTM-613N-F
Produktcode: 72986
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Taster TACTM-613N-F
Hersteller: Ninigi
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Taster
Bedrahtet/SMD: SMD
Abmessungen, mm: 6x6 mm
Tastenhöhe, mm: 13 mm
Beschreibung: Taster; 1-position; SPST-NO; 0.05A/12VDC; SMT; 1.6N Für smd Montage.
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
verfügbar: 1384 St.
  • 200 St. - stock Köln
  • 1184 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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SWT-2/5 (CTT-1102A-160G) (Taster)
Produktcode: 35179
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Hersteller: Well Buying
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Taster
Bedrahtet/SMD: THT
Abmessungen, mm: 6x6 mm
Tastenhöhe, mm: 5 mm
Beschreibung: Taster, Kraft 160g, 0,05A; 12VDC, Gesamthöhe der Taste: 5 mm
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
8536 50 11 90
auf Bestellung 3616 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.071 EUR
100+0.049 EUR
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