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NTD3055L104T4G

NTD3055L104T4G ON Semiconductor

ntd3055l104-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD3055L104T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.089 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Hersteller : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Hersteller : onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC82624C366B20C4&compId=NTD3055L104.pdf?ci_sign=ecf55127312336914a9621a1f1bbd24dd6b1c499 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
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46+1.56 EUR
64+1.13 EUR
100+0.72 EUR
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC82624C366B20C4&compId=NTD3055L104.pdf?ci_sign=ecf55127312336914a9621a1f1bbd24dd6b1c499 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Hersteller : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Hersteller : UMW 2d3499e1da282f15d7e81bbed2ebecd2.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Hersteller : UMW 2d3499e1da282f15d7e81bbed2ebecd2.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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