NTD4302T4G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
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Technische Details NTD4302T4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD4302T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote NTD4302T4G nach Preis ab 1.4 EUR bis 4.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTD4302T4G | onsemi |
MOSFET 30V 68A N-Channel |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD4302T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4302T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD4302T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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NTD4302T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| NTD4302T4G********** |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTD4302T4G |
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Hersteller: onsemi
MOSFET 30V 68A N-Channel
MOSFET 30V 68A N-Channel
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 250+ | 2.51 EUR |
| NTD4302T4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4302T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTD4302T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.09 EUR |
| 75+ | 3.13 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| NTD4302T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTD4302T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTD4302T4G********** |
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)