Produkte > ONSEMI > NTD4857NAT4G
NTD4857NAT4G

NTD4857NAT4G onsemi


Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1025+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTD4857NAT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V.

Weitere Produktangebote NTD4857NAT4G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTD4857NAT4G Hersteller : ON Semiconductor
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4857NAT4G Hersteller : ONSEMI Description: ONSEMI - NTD4857NAT4G - NTD4857NAT4G - MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH