Technische Details NTD4906N-35G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37.5W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTD4906N-35G nach Preis ab 0.38 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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NTD4906N-35G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 39829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD4906N-35G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Tube |
auf Bestellung 676661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD4906N-35G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37.5W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 676661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD4906N-35G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1716+ | 0.38 EUR |
| NTD4906N-35G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
auf Bestellung 676661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1402+ | 0.42 EUR |
| NTD4906N-35G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 676661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1500+ | 0.57 EUR |