NTD5862NT4G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.15 EUR |
| 108+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
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Technische Details NTD5862NT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTD5862NT4G nach Preis ab 1.4 EUR bis 5.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTD5862NT4G | onsemi |
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM |
auf Bestellung 14208 Stücke: Lieferzeit 314-318 Tag (e) |
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NTD5862NT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD5862NT4G |
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Hersteller: onsemi
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
auf Bestellung 14208 Stücke:
Lieferzeit 314-318 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| NTD5862NT4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 48+ | 5.27 EUR |
| 74+ | 3.15 EUR |
| 108+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |