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NTD5867NLT4G ONSEMI

Name: NTD5867NLT4G
Brand: ONSEMI
SKU: 1429644-8
Price: 0.37 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 36W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD

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Technische Details NTD5867NLT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.

Weitere Produktangebote NTD5867NLT4G nach Preis ab 0.53 EUR bis 3.85 EUR

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD5867NLT4G

Hersteller : onsemi

MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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NTD5867NLT4G

Hersteller : TECH PUBLIC

Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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Anzahl	Preis ohne MwSt
30+	1.15 EUR

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NTD5867NLT4G

Hersteller : ON-Semicoductor

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK NTD5867NLT4G TNTD5867nl
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
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NTD5867NLT4G
Produktcode: 172926

Hersteller : ON

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 33 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 675/15
JHGF: SMD

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NTD5867NLT4G

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V

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NTD5867NLT4G

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V

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