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Technische Details NTD5867NLT4G UMW
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTD5867NLT4G nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.60 EUR
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Preis | ||||||||||||
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NTD5867NLT4G | Hersteller : onsemi |
 MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM |
auf Bestellung 66651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 62712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD5867NLT4G | Hersteller : TECH PUBLIC |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD5867NLT4G Produktcode: 172926
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ON |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 60 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 33 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 675/15 JHGF: SMD |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |