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NTD5867NLT4G

NTD5867NLT4G ON

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Produktcode: 172926
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Hersteller: ON
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 33 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 675/15
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G TECH PUBLIC TNTD5867n_c_TECH_PUBLIC_0001.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G UMW ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
22+0.81 EUR
100+0.53 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 39100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 28
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ONSEMI ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ONSEMI ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ONSEMI ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD5867NLT4G TNTD5867n_c_TECH_PUBLIC_0001.pdf
NTD5867NLT4G
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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NTD5867NLT4G
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
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14+1.3 EUR
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NTD5867NLT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD5867NLT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 39100 Stücke:
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Anzahl Preis
28+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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NTD5867NLT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTD5867NLT4G ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD5867NLT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35060 Stücke:
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NTD5867NLT4G ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD5867NLT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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NTD5867NLT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH