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Technische Details NTD5867NLT4G UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote NTD5867NLT4G nach Preis ab 0.87 EUR bis 5.47 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : onsemi |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : TECH PUBLIC |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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NTD5867NLT4G Produktcode: 172926
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ON |
![]() ![]() Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 60 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 33 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 675/15 JHGF: SMD |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
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NTD5867NLT4G | Hersteller : UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
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