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| 2500+ | 1.67 EUR |
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Technische Details NTD600N80S3Z onsemi
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTD600N80S3Z nach Preis ab 1.67 EUR bis 3.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : onsemi |
MOSFET SF3 800V 600MOHM, DPAK |
auf Bestellung 2927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTD600N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |