NTD6416ANLT4G ON Semiconductor
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Technische Details NTD6416ANLT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTD6416ANLT4G nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.52 EUR
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 106MO |
auf Bestellung 3242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD6416ANLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTD6416ANLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A On-state resistance: 74mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| NTD6416ANLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A On-state resistance: 74mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK |
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