NTE2906 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 8A; 125W; TO3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±14V
Case: TO3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details NTE2906 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 8A; 125W; TO3, Mounting: THT, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±14V, Case: TO3, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 8A, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| NTE2906 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 8A; 125W; TO3 Mounting: THT Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±14V Case: TO3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 8A Type of transistor: N-MOSFET |
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