NTE2909 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 8.94 EUR |
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Technische Details NTE2909 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 230A, Power dissipation: 200W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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NTE2909 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
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