NTE2914 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 13+ | 5.51 EUR |
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Technische Details NTE2914 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 25A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 25W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 26mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTE2914 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
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