NTE2967 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 35.75 EUR |
| 5+ | 14.3 EUR |
| 25+ | 9.5 EUR |
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Technische Details NTE2967 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 70A, Pulsed drain current: 280A, Power dissipation: 150W, Case: TO3P, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 14mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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NTE2967 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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