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NTE2967

NTE2967 NTE Electronics

nte2967.pdf
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Technische Details NTE2967 NTE Electronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 70A, Pulsed drain current: 280A, Power dissipation: 150W, Case: TO3P, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 14mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement.