NTE2973

NTE2973 NTE Electronics, Inc


nte2973.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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Technische Details NTE2973 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P, Packaging: Bag, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 275W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V.

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NTE2973 NTE2973 Hersteller : NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8B0EA8633C0C1&compId=nte2973.pdf?ci_sign=140929b686be441116f759bbc3c5cd3e4ac82827 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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NTE2973 NTE2973 Hersteller : NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8B0EA8633C0C1&compId=nte2973.pdf?ci_sign=140929b686be441116f759bbc3c5cd3e4ac82827 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
1+71.50 EUR
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NTE2973 Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte2973.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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50+18.49 EUR
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