Produkte > ON SEMICONDUCTOR > NTE4151PT1G
NTE4151PT1G

NTE4151PT1G ON Semiconductor


nta4151p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTE4151PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Weitere Produktangebote NTE4151PT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.23 EUR
6000+ 0.22 EUR
9000+ 0.2 EUR
75000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
auf Bestellung 83218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+0.86 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : onsemi NTA4151P_D-2318405.pdf MOSFET -20V -760mA P-Channel
auf Bestellung 53560 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+0.87 EUR
86+ 0.61 EUR
138+ 0.38 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.22 EUR
9000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTE4151PT1G Hersteller : ONSEMI nta4151p-d.pdf NTE4151PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar