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NTE4151PT1G

NTE4151PT1G ON Semiconductor

nta4151p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details NTE4151PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 313mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Weitere Produktangebote NTE4151PT1G nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTE4151PT1G NTE4151PT1G ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI NTA4153N.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 313mW
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.1nC
auf Bestellung 3327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
521+0.17 EUR
596+0.14 EUR
784+0.11 EUR
819+0.1 EUR
867+0.099 EUR
1000+0.092 EUR
1500+0.088 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G onsemi NTA4151P-D.PDF MOSFETs -20V -760mA P-Channel
auf Bestellung 47248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
15+0.24 EUR
100+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 81932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
44+0.49 EUR
100+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.96 EUR
402+0.58 EUR
725+0.3 EUR
926+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 1464 Stücke:
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NTE4151PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 313mW
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.1nC
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AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
521+0.17 EUR
596+0.14 EUR
784+0.11 EUR
819+0.1 EUR
867+0.099 EUR
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NTE4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTE4151PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
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NTE4151PT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V -760mA P-Channel
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AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
15+0.24 EUR
100+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
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NTE4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTE4151PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 81932 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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44+0.49 EUR
100+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
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NTE4151PT1G 1921128.pdf
NTE4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
259+0.96 EUR
402+0.58 EUR
725+0.3 EUR
926+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
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NTE4151PT1G 1921128.pdf
NTE4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
259+0.96 EUR
402+0.58 EUR
725+0.3 EUR
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