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NTE4151PT1G

NTE4151PT1G ON Semiconductor

nta4151p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
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Technische Details NTE4151PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A1B183D144745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=01a5609438402e6bd1124b75d4f75378f43335a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Polarisation: unipolar
Case: SC89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 313mW
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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556+0.13 EUR
736+0.097 EUR
807+0.089 EUR
962+0.074 EUR
1019+0.07 EUR
1073+0.067 EUR
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A1B183D144745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=01a5609438402e6bd1124b75d4f75378f43335a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Polarisation: unipolar
Case: SC89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 313mW
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
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3000+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : onsemi NTA4151P-D.PDF MOSFETs -20V -760mA P-Channel
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
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