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NTE4153NT1G

NTE4153NT1G ON Semiconductor

nta4153n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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Technische Details NTE4153NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ONSEMI nta4153n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 0.3W; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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256+0.28 EUR
321+0.22 EUR
382+0.19 EUR
455+0.16 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ONSEMI nta4153n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 0.3W; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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885+0.13 EUR
1099+0.1 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 284
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs 20V 915mA N-Channel
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10+0.34 EUR
100+0.2 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.099 EUR
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 54883 Stücke:
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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