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NTE4153NT1G

NTE4153NT1G ON Semiconductor

nta4153n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
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Technische Details NTE4153NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
33000+0.14 EUR
66000+0.13 EUR
99000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
857+0.2 EUR
885+0.19 EUR
1099+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 857 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 113013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
55+0.38 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
395+0.43 EUR
604+0.27 EUR
857+0.18 EUR
875+0.17 EUR
1099+0.13 EUR
3000+0.098 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs 20V 915mA N-Channel
auf Bestellung 35162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.75 EUR
10+0.4 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.92 EUR
503+0.46 EUR
700+0.31 EUR
944+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38918 Stücke:
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503+0.46 EUR
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NTE4153NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
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NTE4153NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
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NTE4153NT1G
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
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33000+0.14 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
857+0.2 EUR
885+0.19 EUR
1099+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
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NTE4153NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 113013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
55+0.38 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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NTE4153NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.62 EUR
395+0.43 EUR
604+0.27 EUR
857+0.18 EUR
875+0.17 EUR
1099+0.13 EUR
3000+0.098 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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NTE4153NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 915mA N-Channel
auf Bestellung 35162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+0.75 EUR
10+0.4 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE4153NT1G 1900865.pdf
NTE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
272+0.92 EUR
503+0.46 EUR
700+0.31 EUR
944+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
272+0.92 EUR
503+0.46 EUR
700+0.31 EUR
944+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH