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NTE4153NT1G

NTE4153NT1G ON Semiconductor

nta4153n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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6000+0.11 EUR
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Technische Details NTE4153NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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33000+0.13 EUR
66000+0.12 EUR
99000+0.11 EUR
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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857+0.2 EUR
875+0.19 EUR
1099+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 857 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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284+0.61 EUR
395+0.42 EUR
604+0.26 EUR
857+0.18 EUR
875+0.17 EUR
885+0.15 EUR
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3000+0.095 EUR
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Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs 20V 915mA N-Channel
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5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 10477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
58+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+1 EUR
503+0.46 EUR
650+0.33 EUR
878+0.25 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+1 EUR
503+0.46 EUR
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878+0.25 EUR
1500+0.21 EUR
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NTE4153NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
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auf Bestellung 141000 Stücke:
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33000+0.13 EUR
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99000+0.11 EUR
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NTE4153NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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AnzahlPrivatkunde
857+0.2 EUR
875+0.19 EUR
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3000+0.11 EUR
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NTE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTE4153NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.61 EUR
395+0.42 EUR
604+0.26 EUR
857+0.18 EUR
875+0.17 EUR
885+0.15 EUR
1099+0.12 EUR
3000+0.095 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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NTE4153NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 915mA N-Channel
auf Bestellung 12035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTE4153NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 10477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
58+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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NTE4153NT1G 1900865.pdf
NTE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38768 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
252+1 EUR
503+0.46 EUR
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1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
252+1 EUR
503+0.46 EUR
650+0.33 EUR
878+0.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH