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NTE4153NT1G

NTE4153NT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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Technische Details NTE4153NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs 20V 915mA N-Channel
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38768 Stücke:
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252+0.99 EUR
569+0.4 EUR
650+0.33 EUR
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NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
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NTE4153NT1G ONSEMI nta4153n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 0.3W; SC89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTE4153NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
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NTE4153NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 848981 Stücke:
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NTE4153NT1G
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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NTE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 4801 Stücke:
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NTE4153NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
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MOSFETs 20V 915mA N-Channel
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NTE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
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Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 38768 Stücke:
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878+0.25 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 0.3W; SC89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC89
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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