NTE4153NT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |
| 9000+ | 0.11 EUR |
| 21000+ | 0.1 EUR |
| 30000+ | 0.098 EUR |
| 75000+ | 0.097 EUR |
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Technische Details NTE4153NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.
Weitere Produktangebote NTE4153NT1G nach Preis ab 0.099 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTE4153NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount |
auf Bestellung 113013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTE4153NT1G | onsemi |
MOSFETs 20V 915mA N-Channel |
auf Bestellung 35162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTE4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
auf Bestellung 39038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NTE4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
auf Bestellung 39038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTE4153NT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 113013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 0.48 EUR |
| 55+ | 0.32 EUR |
| 100+ | 0.22 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| NTE4153NT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 915mA N-Channel
MOSFETs 20V 915mA N-Channel
auf Bestellung 35162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.63 EUR |
| 10+ | 0.34 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.099 EUR |
| NTE4153NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 39038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTE4153NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 915mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 39038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)