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NTE5966

NTE5966 NTE Electronics, Inc

nte5962_67.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GP 800V 25A PRESS FIT
Packaging: Bag
Package / Case: Press Fit
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Press Fit
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 57 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 800 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.95 EUR
10+10.4 EUR
20+9.86 EUR
50+9.31 EUR
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Technische Details NTE5966 NTE Electronics, Inc

Description: DIODE GP 800V 25A PRESS FIT, Packaging: Bag, Package / Case: Press Fit, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: Press Fit, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 57 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 800 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTE5966 NTE5966 Hersteller : NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92994C99AB07A0C4&compId=nte5962_67.pdf?ci_sign=9255a69123d2a8a1e3458518caa23a90b6387453 Category: Diodes - others
Description: Diode: rectifying; 800V; 25A; anode on wire; Ifsm: 300A; Ufmax: 1.7V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 25A
Semiconductor structure: anode on wire
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 1mA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: alternator diode
Mounting: Press-Fit
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8+8.94 EUR
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NTE5966 NTE5966 Hersteller : NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92994C99AB07A0C4&compId=nte5962_67.pdf?ci_sign=9255a69123d2a8a1e3458518caa23a90b6387453 Category: Diodes - others
Description: Diode: rectifying; 800V; 25A; anode on wire; Ifsm: 300A; Ufmax: 1.7V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 25A
Semiconductor structure: anode on wire
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 1mA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: alternator diode
Mounting: Press-Fit
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