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NTF2955T1G

NTF2955T1G onsemi

ntf2955-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+0.74 EUR
2000+0.71 EUR
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Technische Details NTF2955T1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTF2955T1G NTF2955T1G Hersteller : ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
58+1.24 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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NTF2955T1G NTF2955T1G Hersteller : ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
58+1.24 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G Hersteller : onsemi NTF2955_D-2318911.pdf MOSFETs -60V 2.6A P-Channel
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NTF2955T1G NTF2955T1G Hersteller : onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
auf Bestellung 3889 Stücke:
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100+1.13 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G Hersteller : ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF2955T1G Hersteller : ONS ntf2955-d.pdf Транз. Пол. ММ P-Channel MOSFET SOT-223 Udss=60V; Id=1,7 A; Pdmax=1 W
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Anzahl Preis
1+3.65 EUR
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NTF2955T1G Hersteller : ON-Semicoductor ntf2955-d.pdf P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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NTF2955T1G Hersteller : ONSEMI 1916829.pdf Description: ONSEMI - NTF2955T1G - MOSFET, P-KANAL, 60V, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTF2955T1G NTF2955T1G Hersteller : ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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