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NTF2955T1G

NTF2955T1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
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Technische Details NTF2955T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF2955T1G NTF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
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1000+0.96 EUR
2000+0.89 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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1000+1.06 EUR
2000+0.94 EUR
3000+0.87 EUR
5000+0.79 EUR
7000+0.73 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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580+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 580 Stücke
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NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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580+1.13 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.14 EUR
3000+1.01 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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1000+1.18 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.13 EUR
44+1.98 EUR
57+1.51 EUR
65+1.32 EUR
78+1.11 EUR
100+0.96 EUR
200+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1230 Stücke:
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69+2.59 EUR
103+1.68 EUR
200+1.63 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
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NTF2955T1G NTF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf MOSFETs -60V 2.6A P-Channel
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2+3.09 EUR
10+1.92 EUR
100+1.33 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTF2955T1G NTF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
auf Bestellung 22729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI 1916829.pdf Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
106+2.19 EUR
122+1.76 EUR
200+1.5 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI 1916829.pdf Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 26212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
107+2.18 EUR
125+1.73 EUR
200+1.44 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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NTF2955T1G NTF2955T1G ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTF2955T1G ON-Semiconductor ntf2955-d.pdf P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTF2955T1G ON-Semiconductor ntf2955-d.pdf P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.7 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.92 EUR
3000+0.88 EUR
5000+0.82 EUR
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NTF2955T1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.96 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.06 EUR
2000+0.94 EUR
3000+0.87 EUR
5000+0.79 EUR
7000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
580+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 580 Stücke
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NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
580+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
10000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 580 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.14 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+2.13 EUR
44+1.98 EUR
57+1.51 EUR
65+1.32 EUR
78+1.11 EUR
100+0.96 EUR
200+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.59 EUR
103+1.68 EUR
200+1.63 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -60V 2.6A P-Channel
auf Bestellung 23402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.09 EUR
10+1.92 EUR
100+1.33 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
auf Bestellung 22729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G 1916829.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.57 EUR
106+2.19 EUR
122+1.76 EUR
200+1.5 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G 1916829.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 26212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.77 EUR
107+2.18 EUR
125+1.73 EUR
200+1.44 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH