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NTF3055-100T1G

NTF3055-100T1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NTF3055-100T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G ON Semiconductor ntf3055100d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G ON Semiconductor ntf3055100d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G onsemi ntf3055-100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G ON Semiconductor ntf3055100d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G ONSEMI ntf3055-100-d.pdf Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G onsemi ntf3055-100-d.pdf MOSFETs 60V 3A N-Channel
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G onsemi ntf3055-100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G ONSEMI NTF3055-100.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G ON Semiconductor ntf3055100d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF3055-100T1G NTF3055-100T1G ON Semiconductor ntf3055100d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF3055-100T1G ON-Semiconductor ntf3055-100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTF3055-100T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
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NTF3055-100T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF3055-100T1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
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NTF3055-100T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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NTF3055-100T1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 3A N-Channel
auf Bestellung 10472 Stücke:
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NTF3055-100T1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.08 EUR
11+1.96 EUR
50+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
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NTF3055-100T1G NTF3055-100.PDF
NTF3055-100T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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NTF3055-100T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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NTF3055-100T1G ntf3055-100-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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