NTF5P03T3G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 12000+ | 0.87 EUR |
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Technische Details NTF5P03T3G onsemi
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.13W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTF5P03T3G nach Preis ab 0.92 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTF5P03T3G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 30V 5.2A P-Channel |
auf Bestellung 43464 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTF5P03T3G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17293 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTF5P03T3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.13W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTF5P03T3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 3.13W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTF5P03T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTF5P03T3G | Hersteller : ONSEMI |
NTF5P03T3G SMD P channel transistors |
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