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NTF5P03T3G

NTF5P03T3G ON Semiconductor

ntf5p03t3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NTF5P03T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ON Semiconductor ntf5p03t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : onsemi ntf5p03t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ON Semiconductor ntf5p03t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : onsemi DAC501D39A11DFAB15C15CD539FD91DB6F1608B8FB7C3C9492C089A3B8B3F59A.pdf MOSFETs 30V 5.2A P-Channel
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10+0.83 EUR
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1000+0.52 EUR
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : onsemi ntf5p03t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
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7+2.59 EUR
11+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ON Semiconductor ntf5p03t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ONSEMI 2160712.pdf Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2150 Stücke:
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ON Semiconductor ntf5p03t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ONSEMI 2160712.pdf Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ON Semiconductor ntf5p03t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ON Semiconductor ntf5p03t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ONSEMI ntf5p03t3-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 3.13W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 3.13W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTF5P03T3G NTF5P03T3G Hersteller : ONSEMI ntf5p03t3-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 3.13W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 3.13W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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