NTGD3148NT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.32 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details NTGD3148NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTGD3148NT1G nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NTGD3148NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6 |
auf Bestellung 15821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTGD3148NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
auf Bestellung 11852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTGD3148NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTGD3148NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTGD3148NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGD3148NT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTGD3148NT1G Multi channel transistors |
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