NTGD4167CT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTGD4167CT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTGD4167CT1G nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTGD4167CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 2176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6 |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
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NTGD4167CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
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| NTGD4167CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.9/-1.4A Power dissipation: 0.9W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90/170mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NTGD4167CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.9/-1.4A Power dissipation: 0.9W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90/170mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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