NTGS5120PT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details NTGS5120PT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote NTGS5120PT1G nach Preis ab 0.31 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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NTGS5120PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V |
auf Bestellung 28510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm |
auf Bestellung 10549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 2.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 1.1 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS5120PT1G | Hersteller : ON |
SOT-163 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |