NTGS5120PT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTGS5120PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTGS5120PT1G nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm |
auf Bestellung 30992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V |
auf Bestellung 30852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.111ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| NTGS5120PT1G | Hersteller : ON |
SOT-163 |
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NTGS5120PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTGS5120PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.4W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.4W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 111mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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