NTH027N65S3F-F155 ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 33.75 EUR |
| 10+ | 27.48 EUR |
| 120+ | 24.47 EUR |
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Technische Details NTH027N65S3F-F155 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTH027N65S3F-F155 nach Preis ab 26.37 EUR bis 52.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTH027N65S3F-F155 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH027N65S3F-F155 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH027N65S3F-F155 | onsemi |
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 227-231 Tag (e) |
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| NTH027N65S3F-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTH027N65S3F-F155 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 34.18 EUR |
| 10+ | 29.86 EUR |
| 50+ | 27.47 EUR |
| 100+ | 26.91 EUR |
| 250+ | 26.37 EUR |
| NTH027N65S3F-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 40.16 EUR |
| 10+ | 31.01 EUR |
| 120+ | 27.86 EUR |
| 510+ | 26.7 EUR |
| NTH027N65S3F-F155 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 44.4 EUR |
| 30+ | 28.43 EUR |
| 120+ | 26.58 EUR |
| NTH027N65S3F-F155 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 227-231 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 52.3 EUR |
| 10+ | 41.89 EUR |
| 120+ | 36.21 EUR |
| NTH027N65S3F-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)