NTH027N65S3F-F155 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
auf Bestellung 14872 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 25.13 EUR |
| 30+ | 22.81 EUR |
| 120+ | 21.83 EUR |
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Technische Details NTH027N65S3F-F155 onsemi
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTH027N65S3F-F155 nach Preis ab 20.80 EUR bis 34.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM |
auf Bestellung 1226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH027N65S3F_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTH027N65S3F-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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