NTH4L013N120M3S onsemi
Hersteller: onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET ? EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 53.08 EUR |
| 10+ | 48.17 EUR |
| 30+ | 40.94 EUR |
| 120+ | 40.83 EUR |
| 270+ | 38.65 EUR |
| 510+ | 36.40 EUR |
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Technische Details NTH4L013N120M3S onsemi
Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 682W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote NTH4L013N120M3S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTH4L013N120M3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L013N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 682W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| NTH4L013N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
Discrete SiC M3S 1200V 13mohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTH4L013N120M3S | Hersteller : ONSEMI |
NTH4L013N120M3S THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4L013N120M3S | Hersteller : onsemi |
Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 682W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V |
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