NTH4L015N065SC1 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
auf Bestellung 6433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 44.16 EUR |
| 120+ | 42.9 EUR |
| 510+ | 36.61 EUR |
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Technische Details NTH4L015N065SC1 onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V.
Weitere Produktangebote NTH4L015N065SC1 nach Preis ab 42.18 EUR bis 87.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NTH4L015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | Hersteller : onsemi |
MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTH4L015N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 283nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 483A Case: TO247 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTH4L015N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 283nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 483A Case: TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |