Technische Details NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Weitere Produktangebote NTH4L015N065SC1 nach Preis ab 31.31 EUR bis 68.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 7704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 7704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | onsemi |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V |
auf Bestellung 11049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 40.5 EUR |
| NTH4L015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 40.5 EUR |
| NTH4L015N065SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 48.5 EUR |
| 30+ | 33.96 EUR |
| 120+ | 31.31 EUR |
| NTH4L015N065SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 56.1 EUR |
| 6+ | 45.95 EUR |
| 10+ | 36.71 EUR |
| 50+ | 35.99 EUR |
| 100+ | 35.24 EUR |
| NTH4L015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 68.59 EUR |
| 10+ | 54.07 EUR |




