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NTH4L015N065SC1

NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor

nth4l015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor nth4l015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor nth4l015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 onsemi nth4l015n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
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NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 ONSEMI NTH4L015N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 onsemi nth4l015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
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NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor nth4l015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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NTH4L015N065SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
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NTH4L015N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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Mounting Type: Through Hole
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Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
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1+58.43 EUR
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
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