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NTH4L020N120SC1

NTH4L020N120SC1 ON Semiconductor

nth4l020n120sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTH4L020N120SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V, Power Dissipation (Max): 510W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V.

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NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 onsemi nth4l020n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
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Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
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