NTH4L022N120M3S ON Semiconductor
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Technische Details NTH4L022N120M3S ON Semiconductor
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote NTH4L022N120M3S nach Preis ab 28.44 EUR bis 50.9 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : onsemi |
MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : onsemi |
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 352W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube |
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