Produkte > ONSEMI > NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1 onsemi

nth4l025n065sc1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
auf Bestellung 5229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+33.09 EUR
450+ 28.55 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTH4L025N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote NTH4L025N065SC1 nach Preis ab 31.17 EUR bis 48.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTH4L025N065SC1 NTH4L025N065SC1 Hersteller : onsemi NTH4L025N065SC1_D-3150286.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247-4L
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+48.54 EUR
10+ 42.74 EUR
25+ 41.6 EUR
50+ 39.26 EUR
100+ 36.97 EUR
250+ 35.8 EUR
450+ 33.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTH4L025N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nth4l025n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+35.36 EUR
10+ 31.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTH4L025N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nth4l025n065sc1-d.pdf SiC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)