NTH4L028N170M1 ON Semiconductor
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| 30+ | 55.10 EUR |
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Technische Details NTH4L028N170M1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTH4L028N170M1 nach Preis ab 44.95 EUR bis 62.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTH4L028N170M1 | Hersteller : onsemi |
 SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L |
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NTH4L028N170M1 | Hersteller : onsemi |
Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 800 V |
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NTH4L028N170M1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L028N170M1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4L028N170M1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| NTH4L028N170M1 | Hersteller : ONSEMI |
NTH4L028N170M1 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4L028N170M1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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