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NTH4L028N170M1

NTH4L028N170M1 ON Semiconductor

nth4l028n170m1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTH4L028N170M1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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NTH4L028N170M1 NTH4L028N170M1 Hersteller : onsemi nth4l028n170m1-d.pdf Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 800 V
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NTH4L028N170M1 NTH4L028N170M1 Hersteller : onsemi NTH4L028N170M1-D.PDF SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L
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NTH4L028N170M1 NTH4L028N170M1 Hersteller : ONSEMI NTH4L028N170M1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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