NTH4L045N065SC1 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.53 EUR |
| 30+ | 13.8 EUR |
| 120+ | 13.4 EUR |
| 510+ | 13.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTH4L045N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 187W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Weitere Produktangebote NTH4L045N065SC1 nach Preis ab 14.01 EUR bis 25.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NTH4L045N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 187W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NTH4L045N065SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V |
auf Bestellung 1589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
NTH4L045N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
| NTH4L045N065SC1 | ONN |
|
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTH4L045N065SC1 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 20.19 EUR |
| 10+ | 17.09 EUR |
| NTH4L045N065SC1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.11 EUR |
| 13+ | 18.73 EUR |
| 14+ | 16.47 EUR |
| 50+ | 15.64 EUR |
| 100+ | 14.83 EUR |
| 250+ | 14.01 EUR |
| NTH4L045N065SC1 |
|
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.8 EUR |
| 10+ | 16.34 EUR |
| 120+ | 14.79 EUR |
| NTH4L045N065SC1 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 25.79 EUR |
| 10+ | 20.19 EUR |
| NTH4L045N065SC1 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 25.79 EUR |
| 10+ | 19.75 EUR |
| NTH4L045N065SC1 |
|
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)