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Technische Details NTH4L045N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTH4L045N065SC1 nach Preis ab 10.96 EUR bis 20.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : onsemi |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
NTH4L045N065SC1 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |