NTH4L045N065SC1 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 89683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 13.89 EUR |
| 30+ | 11.6 EUR |
| 120+ | 11.26 EUR |
| 510+ | 10.96 EUR |
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Technische Details NTH4L045N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTH4L045N065SC1 nach Preis ab 11.14 EUR bis 21.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Pulsed drain current: 197A Power dissipation: 94W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTH4L045N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Pulsed drain current: 197A Power dissipation: 94W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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