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NTH4L060N065SC1

NTH4L060N065SC1 ON Semiconductor

nth4l060n065sc1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTH4L060N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 Hersteller : onsemi nth4l060n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
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NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 Hersteller : onsemi nth4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
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NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 Hersteller : ONSEMI NTH4L060N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 401 Stücke:
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NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nth4l060n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A Tube
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NTH4L060N065SC1 Hersteller : ONSEMI nth4l060n065sc1-d.pdf NTH4L060N065SC1 THT N channel transistors
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NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nth4l060n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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