Technische Details NTH4L060N090SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 320W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm.
Weitere Produktangebote NTH4L060N090SC1 nach Preis ab 10.85 EUR bis 27.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM |
auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 320W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm |
auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | onsemi |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | ONN |
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auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 16+ | 10.85 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.45 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.45 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.68 EUR |
| 10+ | 15.12 EUR |
| 120+ | 14.8 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 320W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 320W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 23.29 EUR |
| 13+ | 18.91 EUR |
| 15+ | 14.95 EUR |
| 50+ | 13.76 EUR |
| 100+ | 13.47 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.31 EUR |
| 30+ | 16.62 EUR |
| 60+ | 15.35 EUR |
| 120+ | 14.28 EUR |
| 510+ | 12.99 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)