NTH4L060N090SC1 ON Semiconductor
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Technische Details NTH4L060N090SC1 ON Semiconductor
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 221W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V.
Weitere Produktangebote NTH4L060N090SC1 nach Preis ab 10.22 EUR bis 32.55 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : onsemi |
MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4L060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |