Technische Details NTH4L060N090SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTH4L060N090SC1 nach Preis ab 11.51 EUR bis 24.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM |
auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L060N090SC1 | onsemi |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V |
auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTH4L060N090SC1 | ONN |
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auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 11.51 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 16.18 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 16.18 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.45 EUR |
| 10+ | 14.61 EUR |
| 120+ | 13.28 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.81 EUR |
| 16+ | 15.29 EUR |
| 18+ | 12.08 EUR |
| 50+ | 11.84 EUR |
| 100+ | 11.59 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 24.78 EUR |
| 30+ | 15.08 EUR |
| 120+ | 14.24 EUR |
| 510+ | 14.08 EUR |
| NTH4L060N090SC1 |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)