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NTH4L067N65S3H ON Semiconductor


nth4l067n65s3h-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
NTH4L067N65S3H
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Technische Details NTH4L067N65S3H ON Semiconductor

Description: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 266W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V.

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NTH4L067N65S3H Hersteller : ONSEMI nth4l067n65s3h-d.pdf NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
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NTH4L067N65S3H NTH4L067N65S3H Hersteller : onsemi nth4l067n65s3h-d.pdf Description: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
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NTH4L067N65S3H NTH4L067N65S3H Hersteller : onsemi NTH4L067N65S3H_D-2318797.pdf MOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-4
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