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NTH4L075N065SC1

NTH4L075N065SC1 onsemi

nth4l075n065sc1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
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Technische Details NTH4L075N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V.

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NTH4L075N065SC1 NTH4L075N065SC1 Hersteller : onsemi NTH4L075N065SC1_D-3150376.pdf MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
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NTH4L075N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
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NTH4L075N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
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