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Technische Details NTH4LN040N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTH4LN040N65S3H nach Preis ab 12.91 EUR bis 20.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTH4LN040N65S3H | Hersteller : onsemi |
 Description: NTH4LN040N65S3HPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V |
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NTH4LN040N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTH4LN040N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 62A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTH4LN040N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; Idm: 174A; 379W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 379W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 132nC Kind of package: tube Drain current: 62A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 174A Drain-source voltage: 650V On-state resistance: 40mΩ |
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