NTH4LN067N65S3H ON Semiconductor
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Technische Details NTH4LN067N65S3H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTH4LN067N65S3H nach Preis ab 4.94 EUR bis 11.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-247 narrow 4lead |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A Tube |
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| NTH4LN067N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTH4LN067N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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