Produkte > ONSEMI > NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G onsemi


NTHD3102C_D-2318596.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
auf Bestellung 50740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.99 EUR
10+1.62 EUR
100+1.26 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTHD3102CT1G onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote NTHD3102CT1G nach Preis ab 0.42 EUR bis 0.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTHD3102CT1G NTHD3102CT1G onsemi nthd3102c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G ON Semiconductor nthd3102c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.99 EUR
212+0.8 EUR
216+0.76 EUR
292+0.54 EUR
302+0.5 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G nthd3102c-d.pdf
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G nthd3102c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G nthd3102c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+0.99 EUR
212+0.8 EUR
216+0.76 EUR
292+0.54 EUR
302+0.5 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHD3102CT1G nthd3102c-d.pdf
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH