NTHD4102PT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTHD4102PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NTHD4102PT1G nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTHD4102PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R |
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NTHD4102PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active |
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NTHD4102PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active |
auf Bestellung 12218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD4102PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel |
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NTHD4102PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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NTHD4102PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHD4102PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHD4102PT1G | Hersteller : ON |
SOT-8 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTHD4102PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD4102PT1G Produktcode: 109267 |
Hersteller : ONS |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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NTHD4102PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |