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NTHD4508NT1G

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Produktcode: 133952
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G onsemi nthd4508n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
auf Bestellung 17635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
594+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 594 Stücke
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NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.2 EUR
174+1 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2345 Stücke:
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1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G onsemi NTHD4508N_D-2318624.pdf MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
auf Bestellung 16499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
100+2.18 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.5 EUR
3000+0.99 EUR
6000+0.93 EUR
9000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
102+2.28 EUR
141+1.52 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
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NTHD4508NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 594 Stücke
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NTHD4508NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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174+1 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.2 EUR
174+0.98 EUR
500+0.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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Hersteller: onsemi
MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
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2+2.34 EUR
100+2.18 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.5 EUR
3000+0.99 EUR
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9000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTHD4508NT1G ONSM-S-A0013300598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHD4508NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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79+3.2 EUR
102+2.28 EUR
141+1.52 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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NTHD4508NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
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